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IPB80N03S4L03ATMA1

Codice DigiKey
IPB80N03S4L03ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
IPB80N03S4L03ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore
Infineon Technologies
Codice produttore
IPB80N03S4L03ATMA1
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 80 A (Tc) 94W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3-2
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 Scheda tecnica
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IPB80N03S4L03ATMA1 Modelli
Attributi del prodotto
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Categoria
Carica del gate (Qg) max a Vgs
75 nC @ 10 V
Produttore
Vgs (max)
±16V
Serie
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
5100 pF @ 25 V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Dissipazione di potenza (max)
94W (Tc)
Stato componente
Obsoleto
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET
Grado
Automobilistico
Tecnologia
Qualifica
AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
PG-TO263-3-2
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
Contenitore/involucro
RDSon (max) a Id, Vgs
3,3mohm a 80A, 10V
Codice componente base
Vgs(th) max a Id
2,2V a 45µA
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Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
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