Name: IPB80N04S2H4ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB80N04S2H4ATMA2TR-ND
Price: 3.19976 CHF
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

IPB80N04S2H4ATMA2
Codice DigiKey	448-IPB80N04S2H4ATMA2TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPB80N04S2H4ATMA2CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPB80N04S2H4ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPB80N04S2H4ATMA2
Descrizione	MOSFET N-CHANNEL_30/40V
Tempi di consegna standard del produttore	9 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 80 A (Tc) 300W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3-2
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPB80N04S2H4ATMA2 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	40 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	80 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	3,7mohm a 80A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	148 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	4400 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	300W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TO263-3-2
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base	IPB80N