Name: IPB80N04S4L04ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB80N04S4L04ATMA1TR-ND
Price: 2.08633 CHF
Availability: InStock

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IPB80N04S4L04ATMA1
Codice DigiKey	448-IPB80N04S4L04ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPB80N04S4L04ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPB80N04S4L04ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPB80N04S4L04ATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 80 A (Tc) 71W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3-2
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPB80N04S4L04ATMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 60 nC @ 10 V
Produttore Infineon Technologies	Vgs (max) +20V, -16V
Serie OptiMOS™	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4690 pF @ 25 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 71W (Tc)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canale N	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 40 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 80 A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-TO263-3-2
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
RDSon (max) a Id, Vgs 4mohm a 80A, 10V	Codice componente base IPB80N
Vgs(th) max a Id 2,2V a 35µA

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Sostituti (2)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
IXTA160N04T2	IXYS	7	IXTA160N04T2-ND	Fr. 4.85000	Simile
STB120N4LF6	STMicroelectronics	985	497-11096-1-ND	Fr. 2.19000	Simile

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)