IPB80N06S208ATMA2 Infineon Technologies | FET, MOSFET singoli

IPB80N06S208ATMA2 è obsoleto e non è più in produzione.

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IPB80N06S208ATMA2
Codice DigiKey	IPB80N06S208ATMA2-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPB80N06S208ATMA2
Descrizione	MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 55 V 80 A (Tc) 215W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3-2
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPB80N06S208ATMA2 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 96 nC @ 10 V
Produttore Infineon Technologies	Vgs (max) ±20V
Serie OptiMOS™	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2860 pF @ 25 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Dissipazione di potenza (max) 215W (Tc)
Stato componente Obsoleto	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canale N	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 55 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 80 A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-TO263-3-2
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
RDSon (max) a Id, Vgs 7,7mohm a 58A, 10V	Codice componente base IPB80N
Vgs(th) max a Id 4V a 150µA