IPB80N06S208ATMA2 Infineon Technologies | Prodotti a semiconduttore discreti

IPB80N06S208ATMA2 è obsoleto e non è più in produzione.

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IPB80N06S208ATMA2
Codice DigiKey	IPB80N06S208ATMA2-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPB80N06S208ATMA2
Descrizione	MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 55 V 80 A (Tc) 215W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3-2
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPB80N06S208ATMA2 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	55 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	80 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	7,7mohm a 58A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 150µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	96 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2860 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	215W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TO263-3-2
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base	IPB80N