Simile

IPB80N06S2H5ATMA2 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPB80N06S2H5ATMA2TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPB80N06S2H5ATMA2CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPB80N06S2H5ATMA2DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPB80N06S2H5ATMA2 |
Descrizione | MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 |
Tempi di consegna standard del produttore | 18 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 55 V 80 A (Tc) 300W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3-2 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPB80N06S2H5ATMA2 Modelli |
Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 155 nC @ 10 V |
Produttore | Vgs (max) ±20V |
Serie | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4400 pF @ 25 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc) |
Stato componente Attivo | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo FET | Grado Automobilistico |
Tecnologia | Qualifica AEC-Q101 |
Tensione drain/source (Vdss) 55 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore PG-TO263-3-2 |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 5,2mohm a 80A, 10V | Codice componente base |
Vgs(th) max a Id 4V a 230µA |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| STB160N75F3 | STMicroelectronics | 842 | 497-7937-1-ND | Fr. 4.66000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 3.56000 | Fr. 3.56 |
| 10 | Fr. 2.34700 | Fr. 23.47 |
| 100 | Fr. 1.65650 | Fr. 165.65 |
| 500 | Fr. 1.41284 | Fr. 706.42 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1’000 | Fr. 1.26708 | Fr. 1’267.08 |
| 2’000 | Fr. 1.18753 | Fr. 2’375.06 |
| 3’000 | Fr. 1.15428 | Fr. 3’462.84 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 3.56000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 3.84836 |




