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In magazzino: 0
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Canale N 60 V 80 A (Tc) 107W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3-2
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IPB80N06S405ATMA1

Codice DigiKey
IPB80N06S405ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
IPB80N06S405ATMA1
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 60 V 80 A (Tc) 107W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3-2
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
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Categoria
Carica del gate (Qg) max a Vgs
81 nC @ 10 V
Produttore
Vgs (max)
±20V
Serie
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
6500 pF @ 25 V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Dissipazione di potenza (max)
107W (Tc)
Stato componente
Fuori produzione presso DigiKey
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET
Grado
Automobilistico
Tecnologia
Qualifica
AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss)
60 V
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
PG-TO263-3-2
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
Contenitore/involucro
RDSon (max) a Id, Vgs
5,4mohm a 80A, 10V
Codice componente base
Vgs(th) max a Id
4V a 60µA
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (12)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
IPB80N06S405ATMA2Infineon Technologies166448-IPB80N06S405ATMA2CT-NDFr. 2.16000Diretto
IRF1405STRLPBFInfineon Technologies1’681IRF1405STRLPBFCT-NDFr. 2.81000Simile
IRF3205ZSTRLPBFInfineon Technologies4’387IRF3205ZSTRLPBFCT-NDFr. 2.16000Simile
FDB070AN06A0onsemi1’720FDB070AN06A0CT-NDFr. 3.63000Simile
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