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IPB80N06S405ATMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPB80N06S405ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | IPB80N06S405ATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 60 V 80 A (Tc) 107W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3-2 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 81 nC @ 10 V |
Produttore | Vgs (max) ±20V |
Serie | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 6500 pF @ 25 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Dissipazione di potenza (max) 107W (Tc) |
Stato componente Fuori produzione presso DigiKey | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo FET | Grado Automobilistico |
Tecnologia | Qualifica AEC-Q101 |
Tensione drain/source (Vdss) 60 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore PG-TO263-3-2 |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 5,4mohm a 80A, 10V | Codice componente base |
Vgs(th) max a Id 4V a 60µA |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IPB80N06S405ATMA2 | Infineon Technologies | 166 | 448-IPB80N06S405ATMA2CT-ND | Fr. 2.16000 | Diretto |
| IRF1405STRLPBF | Infineon Technologies | 1’681 | IRF1405STRLPBFCT-ND | Fr. 2.81000 | Simile |
| IRF3205ZSTRLPBF | Infineon Technologies | 4’387 | IRF3205ZSTRLPBFCT-ND | Fr. 2.16000 | Simile |
| FDB070AN06A0 | onsemi | 1’720 | FDB070AN06A0CT-ND | Fr. 3.63000 | Simile |
| FDB5800 | onsemi | 5’109 | FDB5800CT-ND | Fr. 3.36000 | Simile |









