


IPD046N08N5ATMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 448-IPD046N08N5ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPD046N08N5ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPD046N08N5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPD046N08N5ATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3 |
Tempi di consegna standard del produttore | 26 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 80 V 90 A (Tc) 125W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPD046N08N5ATMA1 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 80 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 6V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 4.6mohm a 45A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3,8V a 65µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 53 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 3800 pF @ 40 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 125W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-TO252-3 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 2.45000 | Fr. 2.45 |
| 10 | Fr. 1.70200 | Fr. 17.02 |
| 100 | Fr. 1.18240 | Fr. 118.24 |
| 500 | Fr. 1.00858 | Fr. 504.29 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2’500 | Fr. 0.82400 | Fr. 2’060.00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 2.45000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 2.64845 |












