IPD068P03L3GBTMA1 Infineon Technologies | Prodotti a semiconduttore discreti

IPD068P03L3GBTMA1 è obsoleto e non è più in produzione.

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IPD068P03L3GBTMA1
Codice DigiKey	IPD068P03L3GBTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPD068P03L3GBTMA1
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 30 V 70 A (Tc) 100W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	70 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	6,8mohm a 70 A, 10V
Vgs(th) max a Id	2V a 150µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	91 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	7720 pF @ 15 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	100W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 155°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TO252-3
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base	IPD068P