Name: IPD079N06L3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD079N06L3GATMA1TR-ND
Price: 1.44854 CHF
Availability: InStock

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IPD079N06L3GATMA1
Codice DigiKey	448-IPD079N06L3GATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPD079N06L3GATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPD079N06L3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPD079N06L3GATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Tempi di consegna standard del produttore	25 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 50 A (Tc) 79W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3-311
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPD079N06L3GATMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,2V a 34µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 29 nC @ 4.5 V
Serie OptiMOS™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4900 pF @ 30 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 79W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Contenitore del fornitore PG-TO252-3-311
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 50 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base IPD079N
RDSon (max) a Id, Vgs 7,9mohm a 50A, 10V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.34000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 1.44854

IPD079N06L3GATMA1