Name: IPD082N10N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD082N10N3GATMA1TR-ND
Price: 2.12957 CHF
Availability: InStock

IPD082N10N3GATMA1
Codice DigiKey	IPD082N10N3GATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPD082N10N3GATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPD082N10N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPD082N10N3GATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Tempi di consegna standard del produttore	25 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 80 A (Tc) 125W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPD082N10N3GATMA1 Modelli

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	80 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	6V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	8,2mohm a 73A, 10V
Vgs(th) max a Id	3,5V a 75µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	55 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	3980 pF @ 50 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	125W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TO252-3
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base	IPD082

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
2’500	Fr. 0.58041	Fr. 1’451.02
5’000	Fr. 0.56219	Fr. 2’810.95

IPD082N10N3GATMA1

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.97000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 2.12957