


IPD110N12N3GATMA1 | |
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Codice DigiKey | IPD110N12N3GATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPD110N12N3GATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPD110N12N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPD110N12N3GATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3 |
Tempi di consegna standard del produttore | 26 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 120 V 75 A (Tc) 136W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPD110N12N3GATMA1 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 120 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 11mohm a 75A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3V a 83µA (tip.) | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 65 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 4310 pF @ 60 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 136W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-TO252-3 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 1.82000 | Fr. 1.82 |
10 | Fr. 1.15800 | Fr. 11.58 |
100 | Fr. 0.92210 | Fr. 92.21 |
500 | Fr. 0.75998 | Fr. 379.99 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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2’500 | Fr. 0.62093 | Fr. 1’552.33 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.82000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.96742 |