
IPD30N03S4L09ATMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPD30N03S4L09ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPD30N03S4L09ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPD30N03S4L09ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPD30N03S4L09ATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 |
Tempi di consegna standard del produttore | 18 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 30 V 30 A (Tc) 42W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3-11 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPD30N03S4L09ATMA1 Modelli |
Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 20 nC @ 10 V |
Produttore | Vgs (max) ±16V |
Serie | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1520 pF @ 15 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Dissipazione di potenza (max) 42W (Tc) |
Stato componente Attivo | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo FET | Grado Automobilistico |
Tecnologia | Qualifica AEC-Q101 |
Tensione drain/source (Vdss) 30 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore PG-TO252-3-11 |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 9mohm a 30A, 10V | Codice componente base |
Vgs(th) max a Id 2,2V a 13µA |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 0.99000 | Fr. 0.99 |
| 10 | Fr. 0.62000 | Fr. 6.20 |
| 100 | Fr. 0.40780 | Fr. 40.78 |
| 500 | Fr. 0.31652 | Fr. 158.26 |
| 1’000 | Fr. 0.28714 | Fr. 287.14 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2’500 | Fr. 0.25532 | Fr. 638.30 |
| 5’000 | Fr. 0.23564 | Fr. 1’178.20 |
| 7’500 | Fr. 0.22562 | Fr. 1’692.15 |
| 12’500 | Fr. 0.21436 | Fr. 2’679.50 |
| 17’500 | Fr. 0.20770 | Fr. 3’634.75 |
| 25’000 | Fr. 0.20122 | Fr. 5’030.50 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.99000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.07019 |



