
IPD30N06S223ATMA2 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 448-IPD30N06S223ATMA2TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPD30N06S223ATMA2CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPD30N06S223ATMA2DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPD30N06S223ATMA2 |
Descrizione | MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31 |
Tempi di consegna standard del produttore | 18 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 55 V 30 A (Tc) 100W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3-11 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPD30N06S223ATMA2 Modelli |
Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 32 nC @ 10 V |
Produttore | Vgs (max) ±20V |
Serie | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 901 pF @ 25 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Dissipazione di potenza (max) 100W (Tc) |
Stato componente Attivo | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo FET | Grado Automobilistico |
Tecnologia | Qualifica AEC-Q101 |
Tensione drain/source (Vdss) 55 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore PG-TO252-3-11 |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 23mohm a 21A, 10V | Codice componente base |
Vgs(th) max a Id 4V a 50µA |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.46000 | Fr. 1.46 |
| 10 | Fr. 0.92500 | Fr. 9.25 |
| 100 | Fr. 0.62080 | Fr. 62.08 |
| 500 | Fr. 0.49006 | Fr. 245.03 |
| 1’000 | Fr. 0.44802 | Fr. 448.02 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2’500 | Fr. 0.40251 | Fr. 1’006.27 |
| 5’000 | Fr. 0.37438 | Fr. 1’871.90 |
| 7’500 | Fr. 0.36006 | Fr. 2’700.45 |
| 12’500 | Fr. 0.34397 | Fr. 4’299.62 |
| 17’500 | Fr. 0.33984 | Fr. 5’947.20 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.46000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.57826 |




