Name: IPD30N06S2L13ATMA4
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD30N06S2L13ATMA4TR-ND
Price: 0.79994 CHF
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

IPD30N06S2L13ATMA4
Codice DigiKey	IPD30N06S2L13ATMA4TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPD30N06S2L13ATMA4CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPD30N06S2L13ATMA4DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPD30N06S2L13ATMA4
Descrizione	MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
Tempi di consegna standard del produttore	9 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 55 V 30 A (Tc) 136W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3-11
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPD30N06S2L13ATMA4 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	55 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	30 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	13mohm a 30A, 10V
Vgs(th) max a Id	2V a 80µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	69 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1800 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	136W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TO252-3-11
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base	IPD30N06