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IPD30N08S2L21ATMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPD30N08S2L21ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPD30N08S2L21ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPD30N08S2L21ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPD30N08S2L21ATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3 |
Tempi di consegna standard del produttore | 18 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 75 V 30 A (Tc) 136W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3-11 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPD30N08S2L21ATMA1 Modelli |
Attributi del prodotto
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Mostra attributi vuoti
Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 72 nC @ 10 V |
Produttore | Vgs (max) ±20V |
Serie | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1650 pF @ 25 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Dissipazione di potenza (max) 136W (Tc) |
Stato componente Attivo | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo FET | Grado Automobilistico |
Tecnologia | Qualifica AEC-Q101 |
Tensione drain/source (Vdss) 75 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore PG-TO252-3-11 |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 20,5mohm a 25A, 10V | Codice componente base |
Vgs(th) max a Id 2V a 80µA |
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In magazzino: 16’026
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 2.03000 | Fr. 2.03 |
| 10 | Fr. 1.30300 | Fr. 13.03 |
| 100 | Fr. 0.88990 | Fr. 88.99 |
| 500 | Fr. 0.71300 | Fr. 356.50 |
| 1’000 | Fr. 0.65614 | Fr. 656.14 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2’500 | Fr. 0.59460 | Fr. 1’486.50 |
| 5’000 | Fr. 0.55660 | Fr. 2’783.00 |
| 7’500 | Fr. 0.53725 | Fr. 4’029.38 |
| 12’500 | Fr. 0.53537 | Fr. 6’692.12 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 2.03000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 2.19443 |
