Name: IPD35N10S3L26ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD35N10S3L26ATMA2TR-ND
Price: 1.99985 CHF
Availability: InStock

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IPD35N10S3L26ATMA2
Codice DigiKey	448-IPD35N10S3L26ATMA2TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPD35N10S3L26ATMA2CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPD35N10S3L26ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPD35N10S3L26ATMA2
Descrizione	MOSFET_(75V 120V(
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 35 A (Tc) 71W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3-11
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPD35N10S3L26ATMA2 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 39 nC @ 10 V
Produttore Infineon Technologies	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2700 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 71W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 35 A (Tc)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore del fornitore PG-TO252-3-11
RDSon (max) a Id, Vgs 24mohm a 35A, 10V	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Vgs(th) max a Id 2,4V a 39µA

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Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.85000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 1.99985

IPD35N10S3L26ATMA2