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IPD40N03S4L08ATMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPD40N03S4L08ATMA1-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | IPD40N03S4L08ATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 40A TO252-31 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 30 V 40 A (Tc) 42W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3-11 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
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Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 20 nC @ 10 V |
Produttore | Vgs (max) ±16V |
Serie | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1520 pF @ 15 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Dissipazione di potenza (max) 42W (Tc) |
Stato componente Fuori produzione presso DigiKey | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo FET | Grado Automobilistico |
Tecnologia | Qualifica AEC-Q101 |
Tensione drain/source (Vdss) 30 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore PG-TO252-3-11 |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 8,3mohm a 40A, 10V | Codice componente base |
Vgs(th) max a Id 2,2V a 13µA |
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