Name: IPD50N04S410ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD50N04S410ATMA1TR-ND
Price: 1.24315 CHF
Availability: InStock

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IPD50N04S410ATMA1
Codice DigiKey	IPD50N04S410ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPD50N04S410ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPD50N04S410ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPD50N04S410ATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 50 A (Tc) 41W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3-313
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPD50N04S410ATMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 18.2 nC @ 10 V
Produttore Infineon Technologies	Vgs (max) ±20V
Serie OptiMOS™	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1430 pF @ 25 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 41W (Tc)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canale N	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 40 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 50 A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-TO252-3-313
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
RDSon (max) a Id, Vgs 9,3mohm a 50A, 10V	Codice componente base IPD50
Vgs(th) max a Id 4V a 15µA

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Sostituti (2)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
NP75N04VUK-E1-AY	Renesas Electronics Corporation	6’448	559-NP75N04VUK-E1-AYCT-ND	Fr. 1.90000	Simile
STD64N4F6AG	STMicroelectronics	704	497-16304-1-ND	Fr. 1.33000	Simile

In magazzino: 2’328

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)