
IPD50N06S2L13ATMA2 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 448-IPD50N06S2L13ATMA2TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPD50N06S2L13ATMA2CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPD50N06S2L13ATMA2DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPD50N06S2L13ATMA2 |
Descrizione | MOSFET N-CH 55V 50A TO252-31 |
Tempi di consegna standard del produttore | 18 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 55 V 50 A (Tc) 136W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3-11 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPD50N06S2L13ATMA2 Modelli |
Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 69 nC @ 10 V |
Produttore | Vgs (max) ±20V |
Serie | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1800 pF @ 25 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Dissipazione di potenza (max) 136W (Tc) |
Stato componente Attivo | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo FET | Grado Automobilistico |
Tecnologia | Qualifica AEC-Q101 |
Tensione drain/source (Vdss) 55 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore PG-TO252-3-11 |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 12,7mohm a 34A, 10V | Codice componente base |
Vgs(th) max a Id 2V a 80µA |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.86000 | Fr. 1.86 |
| 10 | Fr. 1.19300 | Fr. 11.93 |
| 100 | Fr. 0.81070 | Fr. 81.07 |
| 500 | Fr. 0.64706 | Fr. 323.53 |
| 1’000 | Fr. 0.59442 | Fr. 594.42 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2’500 | Fr. 0.53750 | Fr. 1’343.75 |
| 5’000 | Fr. 0.50232 | Fr. 2’511.60 |
| 7’500 | Fr. 0.48441 | Fr. 3’633.08 |
| 12’500 | Fr. 0.47626 | Fr. 5’953.25 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.86000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 2.01066 |













