
IPD50N06S409ATMA2 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 448-IPD50N06S409ATMA2TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPD50N06S409ATMA2CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPD50N06S409ATMA2DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPD50N06S409ATMA2 |
Descrizione | MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31 |
Tempi di consegna standard del produttore | 18 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 60 V 50 A (Tc) 71W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3-11 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPD50N06S409ATMA2 Modelli |
Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 47.1 nC @ 10 V |
Produttore | Vgs (max) ±20V |
Serie | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3785 pF @ 25 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Dissipazione di potenza (max) 71W (Tc) |
Stato componente Attivo | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo FET | Grado Automobilistico |
Tecnologia | Qualifica AEC-Q101 |
Tensione drain/source (Vdss) 60 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore PG-TO252-3-11 |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 9mohm a 50A, 10V | Codice componente base |
Vgs(th) max a Id 4V a 34µA |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.39000 | Fr. 1.39 |
| 10 | Fr. 0.88700 | Fr. 8.87 |
| 100 | Fr. 0.59320 | Fr. 59.32 |
| 500 | Fr. 0.46744 | Fr. 233.72 |
| 1’000 | Fr. 0.42698 | Fr. 426.98 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2’500 | Fr. 0.38318 | Fr. 957.95 |
| 5’000 | Fr. 0.35611 | Fr. 1’780.55 |
| 7’500 | Fr. 0.34233 | Fr. 2’567.48 |
| 12’500 | Fr. 0.32684 | Fr. 4’085.50 |
| 17’500 | Fr. 0.32075 | Fr. 5’613.12 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.39000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.50259 |




