
IPD50N06S4L12ATMA2 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPD50N06S4L12ATMA2TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPD50N06S4L12ATMA2CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPD50N06S4L12ATMA2DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPD50N06S4L12ATMA2 |
Descrizione | MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31 |
Tempi di consegna standard del produttore | 18 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 60 V 50 A (Tc) 50W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3-11 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPD50N06S4L12ATMA2 Modelli |
Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 40 nC @ 10 V |
Produttore | Vgs (max) ±16V |
Serie | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2890 pF @ 25 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Dissipazione di potenza (max) 50W (Tc) |
Stato componente Attivo | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo FET | Grado Automobilistico |
Tecnologia | Qualifica AEC-Q101 |
Tensione drain/source (Vdss) 60 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore PG-TO252-3-11 |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 12mohm a 50A, 10V | Codice componente base |
Vgs(th) max a Id 2,2V a 20µA |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.21000 | Fr. 1.21 |
| 10 | Fr. 0.76300 | Fr. 7.63 |
| 100 | Fr. 0.50690 | Fr. 50.69 |
| 500 | Fr. 0.39686 | Fr. 198.43 |
| 1’000 | Fr. 0.36145 | Fr. 361.45 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2’500 | Fr. 0.32312 | Fr. 807.80 |
| 5’000 | Fr. 0.29943 | Fr. 1’497.15 |
| 7’500 | Fr. 0.28737 | Fr. 2’155.28 |
| 12’500 | Fr. 0.27381 | Fr. 3’422.62 |
| 17’500 | Fr. 0.26579 | Fr. 4’651.33 |
| 25’000 | Fr. 0.26233 | Fr. 6’558.25 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.21000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.30801 |












