
IPD50P03P4L11ATMA2 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 448-IPD50P03P4L11ATMA2TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPD50P03P4L11ATMA2CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPD50P03P4L11ATMA2DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPD50P03P4L11ATMA2 |
Descrizione | MOSFET P-CH 30V 50A TO252-31 |
Tempi di consegna standard del produttore | 9 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 30 V 50 A (Tc) 58W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3-11 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPD50P03P4L11ATMA2 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 30 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
RDSon (max) a Id, Vgs | 10,5mohm a 50A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2V a 85µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 55 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | +5V, -16V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 3770 pF @ 25 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 58W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | Automobilistico | |
Qualifica | AEC-Q101 | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-TO252-3-11 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.14000 | Fr. 1.14 |
| 10 | Fr. 0.72000 | Fr. 7.20 |
| 100 | Fr. 0.54860 | Fr. 54.86 |
| 500 | Fr. 0.43200 | Fr. 216.00 |
| 1’000 | Fr. 0.39434 | Fr. 394.34 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2’500 | Fr. 0.31450 | Fr. 786.25 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.14000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.23234 |






