
IPD50P04P413ATMA2 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 448-IPD50P04P413ATMA2TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPD50P04P413ATMA2CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPD50P04P413ATMA2DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPD50P04P413ATMA2 |
Descrizione | MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3 |
Tempi di consegna standard del produttore | 18 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 40 V 50 A (Tc) 58W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3-313 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPD50P04P413ATMA2 Modelli |
Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 51 nC @ 10 V |
Produttore | Vgs (max) ±20V |
Serie | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3670 pF @ 25 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Dissipazione di potenza (max) 58W (Tc) |
Stato componente Attivo | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo FET | Grado Automobilistico |
Tecnologia | Qualifica AEC-Q101 |
Tensione drain/source (Vdss) 40 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore PG-TO252-3-313 |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 12,6mohm a 50A, 10V | Codice componente base |
Vgs(th) max a Id 4V a 85µA |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.36000 | Fr. 1.36 |
| 10 | Fr. 0.85800 | Fr. 8.58 |
| 100 | Fr. 0.57300 | Fr. 57.30 |
| 500 | Fr. 0.45080 | Fr. 225.40 |
| 1’000 | Fr. 0.41152 | Fr. 411.52 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2’500 | Fr. 0.36899 | Fr. 922.47 |
| 5’000 | Fr. 0.34271 | Fr. 1’713.55 |
| 7’500 | Fr. 0.32932 | Fr. 2’469.90 |
| 12’500 | Fr. 0.31429 | Fr. 3’928.62 |
| 17’500 | Fr. 0.30683 | Fr. 5’369.52 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.36000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.47016 |











