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IPD50R500CEBTMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPD50R500CEBTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | IPD50R500CEBTMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252-3 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 500 V 7,6 A (Tc) 57W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3-11 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
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Categoria | Vgs(th) max a Id 3,5V a 200µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 18.7 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 433 pF @ 100 V |
Stato componente Fuori produzione presso DigiKey | Dissipazione di potenza (max) 57W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 500 V | Contenitore del fornitore PG-TO252-3-11 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 13V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 500mohm a 2,3A, 13V |
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| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
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In magazzino: 0
