
IPD60N10S412ATMA1 | |
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Codice DigiKey | 448-IPD60N10S412ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPD60N10S412ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPD60N10S412ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPD60N10S412ATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3 |
Tempi di consegna standard del produttore | 9 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 60 A (Tc) 94W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3-313 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPD60N10S412ATMA1 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 100 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 12,2mohm a 60A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3,5V a 46µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 34 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 2470 pF @ 25 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 94W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | Automobilistico | |
Qualifica | AEC-Q101 | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-TO252-3-313 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 0.98000 | Fr. 0.98 |
10 | Fr. 0.73200 | Fr. 7.32 |
100 | Fr. 0.58500 | Fr. 58.50 |
500 | Fr. 0.56550 | Fr. 282.75 |
1’000 | Fr. 0.53452 | Fr. 534.52 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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2’500 | Fr. 0.43670 | Fr. 1’091.75 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.98000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.05938 |