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IPD60N10S412ATMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 448-IPD60N10S412ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPD60N10S412ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPD60N10S412ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPD60N10S412ATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3 |
Tempi di consegna standard del produttore | 18 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 60 A (Tc) 94W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3-313 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPD60N10S412ATMA1 Modelli |
Attributi del prodotto
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Mostra attributi vuoti
Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 34 nC @ 10 V |
Produttore | Vgs (max) ±20V |
Serie | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2470 pF @ 25 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Dissipazione di potenza (max) 94W (Tc) |
Stato componente Attivo | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo FET | Grado Automobilistico |
Tecnologia | Qualifica AEC-Q101 |
Tensione drain/source (Vdss) 100 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore PG-TO252-3-313 |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 12,2mohm a 60A, 10V | Codice componente base |
Vgs(th) max a Id 3,5V a 46µA |
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In magazzino: 3’858
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.71000 | Fr. 1.71 |
| 10 | Fr. 1.09500 | Fr. 10.95 |
| 100 | Fr. 0.74100 | Fr. 74.10 |
| 500 | Fr. 0.58920 | Fr. 294.60 |
| 1’000 | Fr. 0.54039 | Fr. 540.39 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2’500 | Fr. 0.48758 | Fr. 1’218.95 |
| 5’000 | Fr. 0.45495 | Fr. 2’274.75 |
| 7’500 | Fr. 0.43834 | Fr. 3’287.55 |
| 12’500 | Fr. 0.42524 | Fr. 5’315.50 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.71000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.84851 |
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