Name: IPD650P06NMATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD650P06NMATMA1TR-ND
Price: 1.87013 CHF
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

IPD650P06NMATMA1
Codice DigiKey	448-IPD650P06NMATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPD650P06NMATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPD650P06NMATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPD650P06NMATMA1
Descrizione	MOSFET P-CH 60V 22A TO252-3
Tempi di consegna standard del produttore	24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 60 V 22 A (Tc) 83W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3-313
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPD650P06NMATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 1,04mA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 39 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1600 pF @ 30 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 83W (Tc)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Contenitore del fornitore PG-TO252-3-313
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 22 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IPD650
RDSon (max) a Id, Vgs 65mohm a 22A, 10V