


IPD65R190C7ATMA1 | |
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Codice DigiKey | IPD65R190C7ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPD65R190C7ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPD65R190C7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPD65R190C7ATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 13A TO252-3 |
Tempi di consegna standard del produttore | 26 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 13 A (Tc) 72W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPD65R190C7ATMA1 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 650 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 190mohm a 5,7A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 4V a 290µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 23 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1150 pF @ 400 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 72W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-TO252-3 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 2.22000 | Fr. 2.22 |
| 10 | Fr. 1.32200 | Fr. 13.22 |
| 100 | Fr. 1.06080 | Fr. 106.08 |
| 500 | Fr. 0.97344 | Fr. 486.72 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2’500 | Fr. 0.79530 | Fr. 1’988.25 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 2.22000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 2.39982 |











