


IPD65R660CFDAATMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 448-IPD65R660CFDAATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPD65R660CFDAATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPD65R660CFDAATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPD65R660CFDAATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3 |
Tempi di consegna standard del produttore | 29 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 6 A (Tc) 62,5W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPD65R660CFDAATMA1 Modelli |
Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 20 nC @ 10 V |
Produttore | Vgs (max) ±20V |
Serie | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 543 pF @ 100 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Dissipazione di potenza (max) 62,5W (Tc) |
Stato componente Attivo | Temperatura di funzionamento -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo FET | Grado Automobilistico |
Tecnologia | Qualifica AEC-Q101 |
Tensione drain/source (Vdss) 650 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore PG-TO252-3 |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 660mohm a 3,22A, 10V | Codice componente base |
Vgs(th) max a Id 4,5V a 214,55µA |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.89000 | Fr. 1.89 |
| 10 | Fr. 1.20700 | Fr. 12.07 |
| 100 | Fr. 0.82040 | Fr. 82.04 |
| 500 | Fr. 0.65516 | Fr. 327.58 |
| 1’000 | Fr. 0.60201 | Fr. 602.01 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2’500 | Fr. 0.54450 | Fr. 1’361.25 |
| 5’000 | Fr. 0.50898 | Fr. 2’544.90 |
| 7’500 | Fr. 0.49089 | Fr. 3’681.67 |
| 12’500 | Fr. 0.48348 | Fr. 6’043.50 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.89000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 2.04309 |












