Impostazioni
Consegna rapida
Spedizione gratuita
Incoterms
Modalità di pagamento
Prodotto Marketplace
IPD65R950CFDATMA1 è obsoleto e non è più in produzione.
Sostituti disponibili:
Equivalente parametrico
Simile
Simile
Simile
Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.
IPD65R950CFDATMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPD65R950CFDATMA1-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | IPD65R950CFDATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 3.9A TO252-3 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 3,9 A (Tc) 36,7W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) | |
Stato componente | Obsoleto | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 650 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 950mohm a 1,5A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 4,5V a 200µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 14.1 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 380 pF @ 100 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 36,7W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-TO252-3 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Obsoleto
Svizzera