IPD65R950CFDATMA1 Infineon Technologies | FET, MOSFET singoli

IPD65R950CFDATMA1 è obsoleto e non è più in produzione.

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Equivalente parametrico

Infineon Technologies

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Prezzo unitario : Fr. 1.50000

Simile

STMicroelectronics

In magazzino: 0

Prezzo unitario : Fr. 1.63000

Simile

STMicroelectronics

In magazzino: 68

Prezzo unitario : Fr. 1.65000

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STMicroelectronics

In magazzino: 1’319

Prezzo unitario : Fr. 3.77000

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IPD65R950CFDATMA1
Codice DigiKey	IPD65R950CFDATMA1-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPD65R950CFDATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 3.9A TO252-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 3,9 A (Tc) 36,7W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4,5V a 200µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 14.1 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 380 pF @ 100 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 36,7W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 650 V	Contenitore del fornitore PG-TO252-3
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 3,9 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IPD65R950
RDSon (max) a Id, Vgs 950mohm a 1,5A, 10V

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Sostituti (4)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
IPD65R950CFDATMA2	Infineon Technologies	2’094	448-IPD65R950CFDATMA2CT-ND	Fr. 1.50000	Equivalente parametrico
STD6N60M2	STMicroelectronics	0	497-13939-1-ND	Fr. 1.63000	Simile
STD7N65M2	STMicroelectronics	68	497-15050-1-ND	Fr. 1.65000	Simile
STD7NM80	STMicroelectronics	1’319	497-8807-1-ND	Fr. 3.77000	Simile

Obsoleto

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