


IPD65R950CFDATMA2 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 448-IPD65R950CFDATMA2TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPD65R950CFDATMA2CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPD65R950CFDATMA2DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPD65R950CFDATMA2 |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 3.9A TO252-3 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 3,9 A (Tc) 36,7W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPD65R950CFDATMA2 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Data di acquisto finale | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 650 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 950mohm a 1,5A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 4,5V a 200µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 14.1 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 380 pF @ 100 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 36,7W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-TO252-3 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.29000 | Fr. 1.29 |
| 10 | Fr. 0.81600 | Fr. 8.16 |
| 100 | Fr. 0.54550 | Fr. 54.55 |
| 500 | Fr. 0.42940 | Fr. 214.70 |
| 1’000 | Fr. 0.39204 | Fr. 392.04 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2’500 | Fr. 0.35160 | Fr. 879.00 |
| 5’000 | Fr. 0.32662 | Fr. 1’633.10 |
| 7’500 | Fr. 0.31389 | Fr. 2’354.18 |
| 12’500 | Fr. 0.31342 | Fr. 3’917.75 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.29000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.39449 |










