
IPD80R1K2P7ATMA1 | |
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Codice DigiKey | IPD80R1K2P7ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPD80R1K2P7ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPD80R1K2P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPD80R1K2P7ATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 800V 4.5A TO252-3 |
Tempi di consegna standard del produttore | 26 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 800 V 4,5 A (Tc) 37W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPD80R1K2P7ATMA1 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 800 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 1,2ohm a 1,7A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3,5V a 80µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 11 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 300 pF @ 500 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 37W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-TO252-3 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 0.97000 | Fr. 0.97 |
| 10 | Fr. 0.68200 | Fr. 6.82 |
| 100 | Fr. 0.52980 | Fr. 52.98 |
| 500 | Fr. 0.41628 | Fr. 208.14 |
| 1’000 | Fr. 0.37973 | Fr. 379.73 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2’500 | Fr. 0.30050 | Fr. 751.25 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.97000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.04857 |








