


IPD80R1K4CEATMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPD80R1K4CEATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPD80R1K4CEATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPD80R1K4CEATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPD80R1K4CEATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 800 V 3,9 A (Tc) 63W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPD80R1K4CEATMA1 Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 3,9V a 240µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 23 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 570 pF @ 100 V |
Stato componente Non per nuovi progetti | Dissipazione di potenza (max) 63W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 800 V | Contenitore del fornitore PG-TO252-3 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 1,4ohm a 2,3A, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| STD5N62K3 | STMicroelectronics | 1’909 | 497-10778-1-ND | Fr. 1.48000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.50000 | Fr. 1.50 |
| 10 | Fr. 0.95300 | Fr. 9.53 |
| 100 | Fr. 0.63970 | Fr. 63.97 |
| 500 | Fr. 0.50566 | Fr. 252.83 |
| 1’000 | Fr. 0.46253 | Fr. 462.53 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2’500 | Fr. 0.41584 | Fr. 1’039.60 |
| 5’000 | Fr. 0.38700 | Fr. 1’935.00 |
| 7’500 | Fr. 0.37231 | Fr. 2’792.32 |
| 12’500 | Fr. 0.35580 | Fr. 4’447.50 |
| 17’500 | Fr. 0.35308 | Fr. 6’178.90 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.50000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.62150 |








