
IPD80R2K7C3AATMA1 | |
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Codice DigiKey | 448-IPD80R2K7C3AATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPD80R2K7C3AATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPD80R2K7C3AATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPD80R2K7C3AATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH TO252-3 |
Tempi di consegna standard del produttore | 26 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 800 V 2 A (Tc) 42W (Tc) A montaggio superficiale |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPD80R2K7C3AATMA1 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 800 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 2,7ohm a 1,2A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3,9V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 1.5 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 290 pF @ 100 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 42W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | Automobilistico | |
Qualifica | AEC-Q101 | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | TO-252AA (DPAK) | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.52000 | Fr. 1.52 |
| 10 | Fr. 0.93000 | Fr. 9.30 |
| 100 | Fr. 0.65280 | Fr. 65.28 |
| 500 | Fr. 0.53050 | Fr. 265.25 |
| 1’000 | Fr. 0.49462 | Fr. 494.62 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2’500 | Fr. 0.43355 | Fr. 1’083.88 |
| 5’000 | Fr. 0.41081 | Fr. 2’054.05 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.52000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.64312 |



