


IPD80R2K8CEATMA1 | |
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Codice DigiKey | IPD80R2K8CEATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPD80R2K8CEATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPD80R2K8CEATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPD80R2K8CEATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3 |
Tempi di consegna standard del produttore | 26 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 800 V 1,9 A (Tc) 42W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPD80R2K8CEATMA1 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 800 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 2,8ohm a 1,1A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3,9V a 120µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 12 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 290 pF @ 100 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 42W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-TO252-3 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 0.97000 | Fr. 0.97 |
10 | Fr. 0.65800 | Fr. 6.58 |
100 | Fr. 0.48960 | Fr. 48.96 |
500 | Fr. 0.38948 | Fr. 194.74 |
1’000 | Fr. 0.35487 | Fr. 354.87 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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2’500 | Fr. 0.29294 | Fr. 732.35 |
5’000 | Fr. 0.28542 | Fr. 1’427.10 |
7’500 | Fr. 0.27690 | Fr. 2’076.75 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.97000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.04857 |