


IPD80R4K5P7ATMA1 | |
---|---|
Codice DigiKey | IPD80R4K5P7ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPD80R4K5P7ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPD80R4K5P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPD80R4K5P7ATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 800V 1.5A TO252 |
Tempi di consegna standard del produttore | 26 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 800 V 1,5 A (Tc) 13W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPD80R4K5P7ATMA1 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 800 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 4.5ohm a 400mA, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3,5V a 200µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 4 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 80 pF @ 500 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 13W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-TO252-3 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
---|---|---|
1 | Fr. 0.86000 | Fr. 0.86 |
10 | Fr. 0.53200 | Fr. 5.32 |
100 | Fr. 0.35050 | Fr. 35.05 |
500 | Fr. 0.27080 | Fr. 135.40 |
1’000 | Fr. 0.24516 | Fr. 245.16 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
---|---|---|
2’500 | Fr. 0.21795 | Fr. 544.88 |
5’000 | Fr. 0.19422 | Fr. 971.10 |
7’500 | Fr. 0.18573 | Fr. 1’392.98 |
12’500 | Fr. 0.17640 | Fr. 2’205.00 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.86000 |
---|---|
Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.92966 |