
IPD90N03S4L02ATMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPD90N03S4L02ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPD90N03S4L02ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPD90N03S4L02ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPD90N03S4L02ATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 |
Tempi di consegna standard del produttore | 18 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 30 V 90 A (Tc) 136W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3-11 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPD90N03S4L02ATMA1 Modelli |
Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 140 nC @ 10 V |
Produttore | Vgs (max) ±16V |
Serie | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 9750 pF @ 25 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Dissipazione di potenza (max) 136W (Tc) |
Stato componente Attivo | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo FET | Grado Automobilistico |
Tecnologia | Qualifica AEC-Q101 |
Tensione drain/source (Vdss) 30 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore PG-TO252-3-11 |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 2,2mohm a 90A, 10V | Codice componente base |
Vgs(th) max a Id 2,2V a 90µA |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 2.02000 | Fr. 2.02 |
| 10 | Fr. 1.29500 | Fr. 12.95 |
| 100 | Fr. 0.88410 | Fr. 88.41 |
| 500 | Fr. 0.70816 | Fr. 354.08 |
| 1’000 | Fr. 0.65159 | Fr. 651.59 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2’500 | Fr. 0.59040 | Fr. 1’476.00 |
| 5’000 | Fr. 0.55259 | Fr. 2’762.95 |
| 7’500 | Fr. 0.53335 | Fr. 4’000.12 |
| 12’500 | Fr. 0.53099 | Fr. 6’637.37 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 2.02000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 2.18362 |



