IPD90N03S4L03ATMA1 Infineon Technologies | Prodotti a semiconduttore discreti

IPD90N03S4L03ATMA1
Codice DigiKey	IPD90N03S4L03ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPD90N03S4L03ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPD90N03S4L03ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPD90N03S4L03ATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 90 A (Tc) 94W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3-11
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPD90N03S4L03ATMA1 Modelli

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	90 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	3,3mohm a 90A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,2V a 45µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	75 nC @ 10 V
Vgs (max)	±16V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	5100 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	94W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TO252-3-11
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base	IPD90