Name: IPD90N06S407ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD90N06S407ATMA2TR-ND
Price: 1.65393 CHF
Availability: InStock

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IPD90N06S407ATMA2
Codice DigiKey	448-IPD90N06S407ATMA2TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPD90N06S407ATMA2CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPD90N06S407ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPD90N06S407ATMA2
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 90 A (Tc) 79W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3-11
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPD90N06S407ATMA2 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 40µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 56 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 79W (Tc)
Stato componente Non per nuovi progetti	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canale N	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 90 A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-TO252-3-11
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
RDSon (max) a Id, Vgs 6,9mohm a 90A, 10V	Codice componente base IPD90

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Sostituti (1)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
TK6R7P06PL,RQ	Toshiba Semiconductor and Storage	21’256	TK6R7P06PLRQCT-ND	Fr. 1.43000	Simile

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Nastrato in bobina (TR)