


IPD90R1K2C3ATMA2 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 448-IPD90R1K2C3ATMA2TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPD90R1K2C3ATMA2CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPD90R1K2C3ATMA2DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPD90R1K2C3ATMA2 |
Descrizione | MOSFET N-CH 900V 5.1A TO252-3 |
Tempi di consegna standard del produttore | 16 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 900 V 5,1 A (Tc) 83W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPD90R1K2C3ATMA2 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 900 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 1,2ohm a 2,8A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3,5V a 310µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 28 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 710 pF @ 100 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 83W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-TO252-3 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.70000 | Fr. 1.70 |
| 10 | Fr. 1.09000 | Fr. 10.90 |
| 100 | Fr. 0.73920 | Fr. 73.92 |
| 500 | Fr. 0.58870 | Fr. 294.35 |
| 1’000 | Fr. 0.56120 | Fr. 561.20 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2’500 | Fr. 0.47333 | Fr. 1’183.33 |
| 5’000 | Fr. 0.45850 | Fr. 2’292.50 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.70000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.83770 |








