Name: IPD90R1K2C3ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD90R1K2C3ATMA2TR-ND
Price: 1.92418 CHF
Availability: InStock

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IPD90R1K2C3ATMA2
Codice DigiKey	448-IPD90R1K2C3ATMA2TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPD90R1K2C3ATMA2CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPD90R1K2C3ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPD90R1K2C3ATMA2
Descrizione	MOSFET N-CH 900V 5.1A TO252-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 900 V 5,1 A (Tc) 83W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPD90R1K2C3ATMA2 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,5V a 310µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 28 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 710 pF @ 100 V
Stato componente Non per nuovi progetti	Dissipazione di potenza (max) 83W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 900 V	Contenitore del fornitore PG-TO252-3
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 5,1 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IPD90
RDSon (max) a Id, Vgs 1,2ohm a 2,8A, 10V