Name: IPDD60R190G7XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPDD60R190G7XTMA1TR-ND
Price: 2.95113 CHF
Availability: InStock

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IPDD60R190G7XTMA1
Codice DigiKey	IPDD60R190G7XTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPDD60R190G7XTMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPDD60R190G7XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPDD60R190G7XTMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 13A HDSOP-10
Tempi di consegna standard del produttore	48 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 13 A (Tc) 76W (Tc) A montaggio superficiale PG-HDSOP-10-1
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPDD60R190G7XTMA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 210µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 18 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™ G7	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 718 pF @ 400 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 76W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 600 V	Contenitore del fornitore PG-HDSOP-10-1
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 13 A (Tc)	Contenitore/involucro Modulo 10-PowerSOP
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IPDD60
RDSon (max) a Id, Vgs 190mohm a 4,2A, 10V