Name: IPDQ60R010S7XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPDQ60R010S7XTMA1TR-ND
Price: 17.36086 CHF
Availability: OutOfStock

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IPDQ60R010S7XTMA1
Codice DigiKey	448-IPDQ60R010S7XTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPDQ60R010S7XTMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPDQ60R010S7XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPDQ60R010S7XTMA1
Descrizione	HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Tempi di consegna standard del produttore	17 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 50 A (Tc) 694W (Tc) A montaggio superficiale PG-HDSOP-22-1
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPDQ60R010S7XTMA1 Modelli

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	50 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	12V
RDSon (max) a Id, Vgs	10mohm a 50A, 12V
Vgs(th) max a Id	4,5V a 3,08mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	318 nC @ 12 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	11987 pF @ 300 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	694W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-HDSOP-22-1
Contenitore/involucro	Modulo 22-PowerBSOP
Codice componente base	IPDQ60R

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 16.06000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 17.36086

IPDQ60R010S7XTMA1