Name: IPDQ65R018CM8XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPDQ65R018CM8XTMA1TR-ND
Price: 12.03153 CHF
Availability: InStock

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IPDQ65R018CM8XTMA1
Codice DigiKey	448-IPDQ65R018CM8XTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPDQ65R018CM8XTMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPDQ65R018CM8XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPDQ65R018CM8XTMA1
Descrizione	IPDQ65R018CM8XTMA1
Tempi di consegna standard del produttore	34 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 127A (Tc) 625W (Tc) A montaggio superficiale PG-HDSOP-22
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPDQ65R018CM8XTMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 18mohm a 55,6A, 10V
Produttore Infineon Technologies	Vgs(th) max a Id 4,7V a 1,48mA
Serie CoolMOS™	Carica del gate (Qg) max a Vgs 173 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 8290 pF @ 400 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 625W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 650 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 127A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-HDSOP-22
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro Modulo 22-PowerBSOP

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Quantità

Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
750	Fr. 5.22933	Fr. 3’922.00

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 11.13000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 12.03153

IPDQ65R018CM8XTMA1