Name: IPF036N15NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPF036N15NM6ATMA1TR-ND
Price: 4.77802 CHF
Availability: InStock

Nuovo prodotto

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IPF036N15NM6ATMA1
Codice DigiKey	448-IPF036N15NM6ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPF036N15NM6ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPF036N15NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPF036N15NM6ATMA1
Descrizione	TRENCH >=100V
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 150 V 21A (Ta), 190A (Tc) 3,8W (Ta), 294W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-7-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPF036N15NM6ATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 6
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	150 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	21A (Ta), 190A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	8V, 15V
RDSon (max) a Id, Vgs	3,4mohm a 84A, 15V
Vgs(th) max a Id	4V a 179µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	86 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	6400 pF @ 75 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3,8W (Ta), 294W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TO263-7-3
Contenitore/involucro	TO-263-7, D2PAK (6 conduttori+linguetta)

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In magazzino: 1’190

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Quantità

Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1’000	Fr. 1.67230	Fr. 1’672.30

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 4.42000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 4.77802

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