
IPG16N10S4L61AATMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 448-IPG16N10S4L61AATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPG16N10S4L61AATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPG16N10S4L61AATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPG16N10S4L61AATMA1 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 100V 16A 29W Montaggio superficiale, fianchi impregnabili PG-TDSON-8-10 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPG16N10S4L61AATMA1 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | Infineon Technologies | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Data di acquisto finale | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali N (doppio) | |
Funzione FET | Porta a livello logico | |
Tensione drain/source (Vdss) | 100V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 16A | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 61mohm a 16A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,1V a 90µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 11nC a 10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 845pF a 25V | |
Potenza - Max | 29W | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | Automobilistico | |
Qualifica | AEC-Q101 | |
Tipo di montaggio | Montaggio superficiale, fianchi impregnabili | |
Contenitore/involucro | 8-PowerVDFN | |
Contenitore del fornitore | PG-TDSON-8-10 | |
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.48000 | Fr. 1.48 |
| 10 | Fr. 0.93900 | Fr. 9.39 |
| 100 | Fr. 0.63180 | Fr. 63.18 |
| 500 | Fr. 0.49998 | Fr. 249.99 |
| 1’000 | Fr. 0.46022 | Fr. 460.22 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 5’000 | Fr. 0.38332 | Fr. 1’916.60 |
| 10’000 | Fr. 0.37600 | Fr. 3’760.00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.48000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.59988 |






