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IPG20N06S2L35ATMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPG20N06S2L35ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPG20N06S2L35ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPG20N06S2L35ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPG20N06S2L35ATMA1 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON |
Tempi di consegna standard del produttore | 35 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 55V 20A 65W A montaggio superficiale PG-TDSON-8-4 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPG20N06S2L35ATMA1 Modelli |
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Categoria | Vgs(th) max a Id 2V a 27µA |
Produttore Infineon Technologies | Carica del gate (Qg) max a Vgs 23nC a 10V |
Serie | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 790pF a 25V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Potenza - Max 65W |
Stato componente Attivo | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Grado Automobilistico |
Configurazione 2 canali N (doppio) | Qualifica AEC-Q101 |
Funzione FET Porta a livello logico | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 55V | Contenitore/involucro 8-PowerVDFN |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 20A | Contenitore del fornitore PG-TDSON-8-4 |
RDSon (max) a Id, Vgs 35mohm a 15A, 10V | Codice componente base |
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In magazzino: 4’588
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.73000 | Fr. 1.73 |
| 10 | Fr. 1.10400 | Fr. 11.04 |
| 100 | Fr. 0.74730 | Fr. 74.73 |
| 500 | Fr. 0.59442 | Fr. 297.21 |
| 1’000 | Fr. 0.54527 | Fr. 545.27 |
| 2’000 | Fr. 0.52609 | Fr. 1’052.18 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 5’000 | Fr. 0.45922 | Fr. 2’296.10 |
| 10’000 | Fr. 0.43161 | Fr. 4’316.10 |
| 15’000 | Fr. 0.42981 | Fr. 6’447.15 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.73000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.87013 |
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