Name: IPL60R065C7AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPL60R065C7AUMA1TR-ND
Price: 8.06426 CHF
Availability: OutOfStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

IPL60R065C7AUMA1
Codice DigiKey	448-IPL60R065C7AUMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPL60R065C7AUMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPL60R065C7AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPL60R065C7AUMA1
Descrizione	MOSFET HIGH POWER_NEW
Tempi di consegna standard del produttore	48 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 29 A (Tc) 180W (Tc) A montaggio superficiale PG-VSON-4-1
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPL60R065C7AUMA1 Modelli

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 800µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 68 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™ C7	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2850 pF @ 400 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 180W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 600 V	Contenitore del fornitore PG-VSON-4-1
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 29 A (Tc)	Contenitore/involucro 4-PowerTSFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IPL60R065
RDSon (max) a Id, Vgs 65mohm a 15,9A, 10V