IPL60R299CPAUMA1 Infineon Technologies | FET, MOSFET singoli

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IPL60R299CPAUMA1
Codice DigiKey	IPL60R299CPAUMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPL60R299CPAUMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 11.1A 4VSON
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 11,1 A (Tc) 96W (Tc) A montaggio superficiale PG-VSON-4
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPL60R299CPAUMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,5V a 440µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 22 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™ CP	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1100 pF @ 100 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 96W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 600 V	Contenitore del fornitore PG-VSON-4
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 11,1 A (Tc)	Contenitore/involucro 4-PowerTSFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IPL60R299
RDSon (max) a Id, Vgs 299mohm a 6,6A, 10V

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
IPL60R285P7AUMA1	Infineon Technologies	5’920	IPL60R285P7AUMA1CT-ND	Fr. 2.26000	Simile
FCMT299N60	onsemi	2’386	FCMT299N60CT-ND	Fr. 4.33000	Simile
SIHH14N60E-T1-GE3	Vishay Siliconix	5’730	SIHH14N60E-T1-GE3CT-ND	Fr. 3.86000	Simile

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