
IPN60R1K0CEATMA1 | |
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Codice DigiKey | IPN60R1K0CEATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPN60R1K0CEATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPN60R1K0CEATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPN60R1K0CEATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 6.8A SOT223 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 600 V 6,8 A (Tc) 5W (Tc) A montaggio superficiale PG-SOT223-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPN60R1K0CEATMA1 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Non per nuovi progetti | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 600 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 1ohm a 1,5A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3,5V a 130µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 13 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 280 pF @ 100 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 5W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-SOT223-3 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 0.72000 | Fr. 0.72 |
| 10 | Fr. 0.45100 | Fr. 4.51 |
| 100 | Fr. 0.29350 | Fr. 29.35 |
| 500 | Fr. 0.22544 | Fr. 112.72 |
| 1’000 | Fr. 0.20350 | Fr. 203.50 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.17563 | Fr. 526.89 |
| 6’000 | Fr. 0.16159 | Fr. 969.54 |
| 9’000 | Fr. 0.15444 | Fr. 1’389.96 |
| 15’000 | Fr. 0.14640 | Fr. 2’196.00 |
| 21’000 | Fr. 0.14164 | Fr. 2’974.44 |
| 30’000 | Fr. 0.14079 | Fr. 4’223.70 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.72000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.77832 |








