
IPN60R1K5CEATMA1 | |
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Codice DigiKey | IPN60R1K5CEATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPN60R1K5CEATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPN60R1K5CEATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPN60R1K5CEATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 5A SOT223 |
Tempi di consegna standard del produttore | 15 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 600 V 5 A (Tc) 5W (Tc) A montaggio superficiale PG-SOT223-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPN60R1K5CEATMA1 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 600 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 1,5ohm a 1,1A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3,5V a 90µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 9.4 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 200 pF @ 100 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 5W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-SOT223-3 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 0.61000 | Fr. 0.61 |
| 10 | Fr. 0.37900 | Fr. 3.79 |
| 100 | Fr. 0.24470 | Fr. 24.47 |
| 500 | Fr. 0.18654 | Fr. 93.27 |
| 1’000 | Fr. 0.16779 | Fr. 167.79 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.13964 | Fr. 418.92 |
| 6’000 | Fr. 0.12799 | Fr. 767.94 |
| 9’000 | Fr. 0.12205 | Fr. 1’098.45 |
| 15’000 | Fr. 0.11538 | Fr. 1’730.70 |
| 21’000 | Fr. 0.11143 | Fr. 2’340.03 |
| 30’000 | Fr. 0.11030 | Fr. 3’309.00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.61000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.65941 |

















