Name: IPN60R360P7SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPN60R360P7SATMA1TR-ND
Price: 1.09181 CHF
Availability: InStock

IPN60R360P7SATMA1
Codice DigiKey	IPN60R360P7SATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPN60R360P7SATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPN60R360P7SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPN60R360P7SATMA1
Descrizione	MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223
Tempi di consegna standard del produttore	35 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 9 A (Tc) 7W (Tc) A montaggio superficiale PG-SOT223
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPN60R360P7SATMA1 Modelli

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ P7
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	9 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	360mohm a 2,7A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 140µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	13 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	555 pF @ 400 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	7W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-SOT223
Contenitore/involucro	TO-261-4, TO-261AA
Codice componente base	IPN60R

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.01000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 1.09181

IPN60R360P7SATMA1